バッチ式常圧 SiH4/O3 CVD装置

低温成膜>>>>高温やプラズマを用いない低ダメージプロセスが可能。

【試作開発・少量生産向】
半導体デバイス
化合物半導体
その他特殊基板
■膜　種
SiO2膜NSG(USG),PSG,BPSG
・多層膜の成膜が可能
・厚膜の成膜が可能
　マルチパス処理する事により対応します。
■基 板
シリコン・ガラス・プラスチック等

■基 板 サイズ（例）
φ50mm 20枚／1バッチ
φ75mm 12枚／1バッチ
φ100mm 9枚／1バッチ
※トレーの変更により〜φ300mm程度迄可能。
※基板サイズ及び形状につきましてはお打合せにより決定します。
■成 膜 温 度
　200℃〜550℃
■ 装置寸法(本体)
2,400mm(W)×1,200mm(D)×1,940mm(H)

基板のローディング／アンローディングの自動化。