Doctor T :MOCVD装置
【主な用途】半導体デバイス
φ100mm〜φ200mmウェーハ対応
世界で初めてFeRAM-LSI量産対応の強誘電体薄膜用MOCVD装置です。
電極用金属、PZT・SBTを始め様々な組成の金属酸化物薄膜を形成することが可能なため、FeRAM以外の分野へも幅広く応用が可能です。

D series :常圧CVD装置【試作開発・少量生産向】
【主な用途】半導体デバイス・化合物半導体・光導波路・その他 特殊基板等
type D301: 枚葉式多用途 常圧CVD装置
type D501: バッチ式常圧 SiH4/O3 CVD装置 >>>> 低温成膜可能です。
type D601: 枚葉式常圧 TEOS/O3 CVD装置・枚葉式常圧 SiH4/O2 CVD装置

A200 :枚葉式常圧CVD装置　TEOS/O3・SiH4/O2【多品種少量生産向】
【主な用途】半導体デバイス・光導波路等
φ100〜φ200mmウェーハ対応
密閉式チャンバを採用し、優れた成膜性能と低パーティクルを実現。

A6300 :連続式常圧CVD装置　SiH4/O2 【大量生産向】
【主な用途】半導体デバイス・シリコンウェーハ裏面コート・太陽電池等
φ100〜φ150mmウェーハ対応
ダブルレーン方式で高スループットを実現　120枚/hr
太陽電池製造用 成膜装置 Model:A6300SS　

AMAX1000s :ハイスループット連続式常圧CVD装置　SiH4/O2
【主な用途】太陽電池製造
125mm□〜155mm□ウェーハ対応

AMAX1200 :連続式常圧CVD装置　SiH4/O2 【大量生産向】
【主な用途】半導体デバイス・シリコンウェーハ裏面コート
φ300mmウェーハ対応
GEM300仕様対応可能。
金属汚染を最小限に抑えることに成功（他社比）　：　〜1.0E9 atoms/cm2

AMAX200 / AMAX800 :連続式常圧CVD装置 SiH4/O2 【大量生産向】
【主な用途】半導体デバイス・シリコンウェーハ裏面コート
AMAX200 >>>> 〜φ150mm ウェーハ対応。　スループット 57枚/hr
AMAX800 >>>> 〜 φ200mm ウェーハ対応。　スループット 55枚/hr
金属汚染を最小限に抑えることに成功（他社比）　：　〜1.0E9 atoms/cm2

ATO6000 / ATO8000 :連続式常圧CVD装置　TEOS/O3　【大量生産向】
【主な用途】半導体デバイス
ATO6000 >>>> 〜φ150mm ウェーハ対応。　スループット 57枚/hr
ATO8000 >>>> 〜 φ200mm ウェーハ対応。　スループット 55枚/hr
直接気化方式 （ Liquid Phase Controlled Direct Vaporization System ） を採用