マスク洗浄装置 WULFシリーズ｜株式会社天谷製作所

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高精細フォトマスクに対応したスピンタイプ洗浄装置

WULFシリーズ

洗浄面への洗浄液高速拡散
異物・反応生成物の急速排除
ウオーターマークレス乾燥

特徴

LSIの高性能化に伴い、フォトマスク／レチクルは、より高精細・高精度である事を要求されています。当社の洗浄装置はこれら製品のハイクリーン化と歩留向上に寄与し、より完成度の高い製品の生産にご協力致します。
機能水を使用したスピン洗浄ユニットを装備、ワーク回転の遠心力とオゾン水、アンモニア添加水素水吐出により、検出限界レベルまで有機物・金属イオン・異物を除去可能なユニットです。各洗浄液を切り換えて洗浄することにより、ワーク上の不純堆積物を高速除去するとともに廃液管理も安全な環境対応ツールです。
RCA洗浄液に変わる洗浄液・洗浄方法の採用
SPM　→　オゾン水
・完全室温洗浄の実現(高温プロセス不要)
・マスク上の薬液残留量減少
・廃液処理の安全化(ISO14000対策)

SC-1　→　アンモニア添加水素水
・ＭｏＳｉハーフトーンマスクのエッチング防止

性能

次の性能表は、SPM（硫酸＋過酸化水素水）やSC-1（アンモニア水＋過酸化水素水＋DIW）のような薬液を使わず、オゾン水やアンモニア添加水素水といった機能水による洗浄を実施した場合の性能表になります。

PSM final clean (SPM free)
Category	No.	Item	Specification
Blank	1	Particle Free	＞32nm
Blank	2	PRE%	≧95%
Image Layer (pattern side)	3	Remaining Soft defect on QZ	≧0.05um (Yield : 98%)
	4	Remaining Soft defect on Shifter	≧0.05um, ≦10ea (Yield : 98%)
	5	SRAF (Dark) missing	No missing
	6	Pattern damage, ESD, Scratch	No damage
	7	Shifter change (Phase)	≦-0.2 degree, average by 10X clean
	8	Shifter change (Trans.)	≦0.025%, average by 10X clean
	9	Shifter change (CD mean)	≦0.15nm, average by 10X clean
	10	Shifter change (CD Range)	≦0.5nm, average by 10X clean
Ion residues	11	Chemical residue (SO4)	≦0.5 ppb
Ion residues	12	Chemical residue (NH4)	≦17.0 ppb

概略仕様

サイズ

洗浄装置本体	7300㎜(W) x 1410㎜(D) x 2300㎜(H)
動力BOX	1400㎜(W) x 500㎜(D) x 2150㎜(H)
薬液BOX	2500㎜(W) x 700㎜(D) x 2000㎜(H)
フィルターBOX	2600㎜(W) x 700㎜(D) x 2000㎜(H)
HOT DIW ユニット	1250㎜(W) x 550㎜(D) x 1750㎜(H)
水素水・炭酸水ユニット	1050㎜(W) x 1500㎜(D) x 2000㎜(H)
オゾン水ユニット	570㎜(W) x 850㎜(D) x 2000㎜(H)

ユーティリティ	・３相２００Ｖ、・単相１００Ｖ、・DIW、・冷却水、・クリーンドライエア、・窒素ガス、・一般排気、・酸排気、・アルカリ排気

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福生工場
TEL:042-552-7384